特許
J-GLOBAL ID：200903054821103299
半導体パワーモジュールおよび複合基板、並びに半導体パワーモジュールの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165471
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022576
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 製造工数と製造コストを低減する。【構成】 電力を制御するIGBT素子T1等が実装される絶縁金属基板160と、IGBT素子T1等を制御する半導体素子IC1が実装される絶縁基板170とが、互いに隣接ないし近接して並列配置されており、しかも枠体180によって一体的に組み込まれ、複合基板150を形成する。更に、それぞれの素子が実装されるべき配線パターン161、171は同一側の主面上に配設されている。このため、これらの2種類の基板を有する複合基板150を、あたかも1個の基板として取り扱って、2種類の基板上への素子の実装を、同一の工程の中で行うことが可能である。【効果】 製造工数と製造コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
下記の(a)〜(e)を備える半導体パワーモジュール。(a)複合基板であって、(a-1)金属板を有する絶縁金属基板であって、その主面の1つに絶縁層を介して主回路配線パターンが配設された絶縁金属基板と、(a-2)板状の絶縁体を有し、主面の1つに制御回路配線パターンが配設された絶縁基板であって、当該制御回路配線パターンが配設された主面と前記主回路配線パターンが配設された主面とが同一側に位置するように、前記絶縁金属基板に隣接ないし近接して並列配置された絶縁基板と、を備え、前記主回路および制御回路配線パターンが配設される主面とは反対側に相当する当該複合基板の底面において、前記金属板の主面が露出する複合基板;(b)前記主回路配線パターン上に実装され、電力を制御する電力制御半導体素子;(c)前記制御回路配線パターン上に実装され、前記電力制御半導体素子を制御する制御素子;(d)筒状のケースであって、その一端部において前記複合基板の周縁部が装着されると共に、前記電力制御半導体素子及び前記制御素子を内部に収納するケース;(e)前記ケース内に充填され、前記電力制御半導体素子及び制御素子を封止する封止樹脂。
IPC (4件)：
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 25/10
, H01L 29/78
H01L 25/04 Z
, H01L 25/10 Z
, H01L 29/78 321 J
