電子線ポジ型レジストおよびこれを用いたフォトマスクの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051789
公開番号（公開出願番号）：特開平11-249309
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】酸化クロム上で化学増幅系ポジ型レジストのパタンが裾引き形状になる問題を解決し、高解像度のフォトマスクを高スループットで製造する方法を提供する。【解決手段】(a)アルカリ可溶性樹脂および(b)活性化学線照射により酸を生じる化合物および(c)ベンゼン環を3つ以上、水酸基を3つ以上を有し、かつ1つのベンゼン環に有する水酸基が2つ以下であるポリヒドロキシ化合物の水酸基の水素原子を水素1原子当たり0.5〜0.9モルの割合で酸分解性基で置換した化合物を少なくとも含むレジスト組成物を、フォトマスク基板上に塗布し、電子線照射した後、ベークを施す。この基板をアルカリ水溶液で現像してパタンを得る。

請求項（抜粋）：

光リソグラフィ用マスク基板上に、(a)アルカリ可溶性樹脂および(b)活性化学線照射により酸を生じる化合物および(c)ベンゼン環を3つ以上、水酸基を3つ以上を有し、かつ1つのベンゼン環に有する水酸基が2つ以下であるポリヒドロキシ化合物の水酸基の水素原子を水素1原子当たり0.5〜0.9モルの割合で酸分解性基で置換した化合物を少なくとも含有する電子線ポジ型レジスト。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 , C09D 5/00 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 , C09D 5/00 Z , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 541 P

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