特許
J-GLOBAL ID:200903054822779407

バンプ構造

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-187887
公開番号(公開出願番号):特開平9-017795
出願日: 1995年06月30日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【目的】 フリップチップ実装後の熱ストレスが原因で半田バンプにクラックが入ったり、半田バンプが基板電極から剥離するといった問題がなく、安価に製作可能なバンプ構造を提供する。【構成】 フリップチップ型半導体装置の電極部に形成されるバンプの構造であって、半導体装置の電極パッド1上に積層したバリヤメタル2と、バリヤメタル2上に立設した複数の金属柱3と、複数の金属柱3上にわたり積層したコアバンプ4と、コアバンプ4上に積層した半田バンプ5とからなる。
請求項(抜粋):
フリップチップ型半導体装置の電極部に形成されるバンプの構造であって、半導体装置の電極パッド上に積層したバリヤメタルと、該バリヤメタル上に立設した複数の金属柱と、該複数の金属柱上にわたって積層したコアバンプと、該コアバンプ上に積層した半田バンプとからなることを特徴とするバンプ構造。
FI (3件):
H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 604 B

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