特許

J-GLOBAL ID：200903054829862105

マスクROMおよびその製造方法

発明者： 江藤 竜二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011847
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209700
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 マスクROMは、記憶すべき内容に基づいて事前に決まったフォトマスクを作製する必要があり、マスクの作製時間とコストがかかり、さらに、記憶内容の変更が容易にできないという問題を有していた。【解決手段】 メモリセルトランジスタ4Tと6Tのゲート絶縁膜3、5の構成成分が異なりトランジスタ特性を異ならせることで、異なる情報を持たせる。例えば1の情報を持たせるトランジスタ4Tのゲート絶縁膜形成予定領域にのみ電子線の走査によりカーボン蒸着膜を形成した後、酸化工程によりシリコン基板1上にゲート絶縁膜を形成することで、0の情報を持つトランジスタ6Tの正常なゲート絶縁膜5に対し、トランジスタ4Tのゲート絶縁膜3は欠陥を含んだゲート絶縁膜となる。電子線の走査によるカーボン蒸着膜の形成位置を変えるだけで、記憶すべき内容の変更を容易に行える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルトランジスタを備え、全ての前記メモリセルトランジスタのドレイン領域をそれぞれ対応するビット線と電気的に接続し、前記メモリセルトランジスタはゲート絶縁膜の構成成分の相違によって異なる第1と第2の情報を持ち、第1の情報を持つ前記メモリセルトランジスタはそのゲート電極に所定の電圧が印加されたときにオン状態になり、第2の情報を持つ前記メモリセルトランジスタはそのゲート電極に前記所定の電圧が印加されてもオフ状態を維持するようにしたマスクROM。

IPC (3件)：

H01L21/8246 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/112

FI (2件)：

H01L27/10 433 ,  H01L21/88 Z

Fターム (43件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ58 ,  5F033SS11 ,  5F033VV16 ,  5F033XX33 ,  5F083CR03 ,  5F083CR11 ,  5F083CR18 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40