特許
J-GLOBAL ID：200903054833853528
ガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の 形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088223
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275545
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】 気相蒸着による薄膜形成において、ガスクラスターイオンビームを蒸着域に照射して化合物薄膜を形成する。【効果】 ガスクラスターイオンの低エネルギー性と高い化学反応性を利用し、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス等において有用な、イオン損傷を抑え、高品質の化合物薄膜を形成することを可能とする。
請求項（抜粋）：
気相蒸着による薄膜形成において、ガスクラスターイオンビームを蒸着域に照射して化合物薄膜を形成することを特徴とするガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 14/32
, C23C 14/46
, H01J 37/30
