特許
J-GLOBAL ID：200903054843426490
半導体チップの貫通孔形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207909
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035995
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハに貫通孔を形成する際の、半導体ウエハの能動面側の汚染を少なくする。【解決手段】 半導体ウエハ10の非能動面12側に有底孔14を形成したのち、能動面16側に素子や外部接続電極18を形成する。その後、半導体ウエハ10の上部にパッシベーション膜20を設け、さらにこれをエッチングして外部接続電極18を露出させる。次に、レーザ光によって孔22を設け、有底孔14と孔22とからなる貫通孔を形成する。その後、非能動面12側に絶縁膜を形成したのち、半導体ウエハ10を切断して半導体チップに分割する。
請求項（抜粋）：
半導体装置を構成する複数の半導体チップを積層して相互に電気的に接続する貫通孔の形成方法であって、前記半導体チップの外部接続電極の形成位置と対応した半導体ウエハの非能動面側に有底孔を設ける工程と、前記有底孔を形成した前記半導体ウエハの能動面側に素子や前記外部接続電極などを形成する工程と、前記半導体ウエハの前記有底孔と対応した前記外部接続電極と半導体ウエハとに孔を形成して貫通孔を設ける工程と、前記半導体ウエハを切断線に沿って切断し、前記半導体チップに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体チップの貫通孔形成方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
