特許

J-GLOBAL ID：200903054843834920

半導体レーザ励起固体レーザ及び固体レーザの形成方法

発明者： 植田 敏嗣 ,  杉山 直 ,  友定 伸浩
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137338
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332327
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で半導体レーザのスロー軸及びファースト軸の影響を軽減することが可能な半導体レーザ励起固体レーザ及び固体レーザの形成方法を実現する。【解決手段】 半導体レーザ励起固体レーザにおいて、励起用の半導体レーザと、この半導体レーザの出力光により励起されてレーザ光を発振させて出射するレーザ媒体とを備え、半導体レーザの出力光のスロー軸方向及びファースト軸方向のビームの径が等しくなる位置にレーザ媒体を配置する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ励起固体レーザにおいて、励起用の半導体レーザと、この半導体レーザの出力光により励起されてレーザ光を発振させて出射するレーザ媒体とを備え、前記半導体レーザの出力光のスロー軸方向及びファースト軸方向のビームの径が等しくなる位置に前記レーザ媒体を配置したことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/094 ,  H01S 3/108 ,  H01S 3/113

FI (3件)：

H01S 3/094 S ,  H01S 3/108 ,  H01S 3/113

Fターム (9件)：

5F072AK01 ,  5F072FF03 ,  5F072FF09 ,  5F072JJ01 ,  5F072JJ12 ,  5F072KK12 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ02 ,  5F072SS06