特許
J-GLOBAL ID：200903054849026354
非水系二次電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243182
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162467
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 高電圧、高エネルギー密度でかつ充放電を繰り返した時のリチウムのデンドライド発生が極めて少ない非水系二次電池を提供すること。【解決手段】一般式(1)〜(3):A<SB>a </SB>S (1)B<SB>b </SB>D<SB>(1-b) </SB>S<SB>y </SB> (2)E<SB>e </SB>G<SB>g </SB>J<SB>(1-e-g) </SB>M<SB>m </SB>S<SB>z </SB> (3)(式中、AはCu、AgまたはAuであり、0.4≦a≦5であり、BおよびDは互いに異なっておりCu、Ag、Au、Zn、Al、WおよびLiからなる群から選択され、0.001≦b≦0.999、0<y<2であり、E、GおよびJは互いに異なっておりCu、Ag、Au、Zn、Al、W、LiおよびMgからなる群から選択され、MはCa、Sr、Na、K、Rb、O、F、Cl、BrまたはIであり、0.001<e<0.999、0.001<g<0.999、0≦m≦0.2であり、0<z<2(1+m)である)のいずれかで表わされる化合物を負極活物質として使用した非水系二次電池。
請求項（抜粋）：
一般式(1):Aa S (1)(式中、AはCu、AgまたはAuであり、0.4≦a≦5である)で表わされる化合物を負極活物質として使用した非水系二次電池。
IPC (4件)：
H01M 4/58
, H01G 9/058
, H01M 4/02
, H01M 10/40
H01M 4/58
, H01M 4/02 D
, H01M 10/40 Z
, H01G 9/00 301 A
