特許
J-GLOBAL ID：200903054849833802
半導体整流素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136433
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】第一導電型の第一層とその表面部に形成された第二導電型の第二層の間の接合の逆方向阻止電圧と順方向降下電圧および逆回復時間との間に存在するトレードオフを解決した高速スイッチング用途の半導体整流素子を得る。【構成】第二導電型の第二層を均一厚さにせず、深いが深い部分では低い不純物濃度でかつ緩やかな濃度勾配で伸びる分散配置された複数の第二領域と第一層との間の接合で高い逆方向阻止電圧を得、第二領域より浅く不純物濃度の高い第一領域と第一層との間の接合を通じての導通電流により低い順方向降下電圧を得る。
請求項（抜粋）：
第一導電型の第一層の表面部に第二導電型の第二層を有するものにおいて、第二層が第一層より高い不純物濃度を有し、不純物濃度勾配の急な第一領域と、第一領域の面内に分散して設けられた第一領域より深く、第一領域の表面不純物濃度より低い不純物濃度で第一領域より緩やかな不純物濃度勾配で延びる第二領域とよりなることを特徴とする半導体整流素子。
引用特許：
前のページに戻る
