特許
J-GLOBAL ID：200903054850509156
微細構造体の形成方法およびX線マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066676
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181170
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 汎用のシンクロトロン放射光装置を用いて、よりアスペクト比の高い微細構造体を形成する方法を提供する。【構成】 基板上にメチルメタクリレートとメタクリル酸とからなる共重合体を主成分とするレジスト層を形成する。次に、前記レジスト層について、シンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いレジストパターンを形成する。次に、前記レジストパターンに従って、通常の、電気めっき、電鋳等を行なうことにより高アスペクト比の微細構造体を得る。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層についてシンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いてレジストパターンを形成する工程とを備える、微細構造体の形成方法において、前記レジスト層に一般式【化1】[式中R1 は炭素数1〜4のアルキル基(該アルキル基の水素原子はハロゲン原子に置換されていてもよい)]で示されるユニットと、下記一般式【化2】[式中Xはハロゲン原子または水酸基であり、R2 は水素原子またはメチル基である]で示されるユニットからなる共重合体を主成分とするレジストを用いることを特徴とする、微細構造体の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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