横型絶縁ゲートトランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186106
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029614
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は横型絶縁ゲートトランジスタに関し、特にラッチアップ防止性能の向上を図る構造を提供することにある。【構成】櫛型形状を有し、歯部が互いに噛み合った状態に組合されたエミッタ電極(2)及びコレクタ電極(3)の、歯部の長手方向の単位長さ当りの抵抗を略等しくし、これによってコレクタ電極(3)からエミッタ電極(2)に流れるオン電流の一部集中を防止するようにした。【効果】コレクタ電極(3)からエミッタ電極(2)に流れるオン電流が一部に集中せず平均して流れるので、ラッチアップ防止性能を大幅に向上することができる。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の第1の半導体領域と、主表面から第1の半導体領域内に延びて設けられ、それぞれストライプ形状を有する複数個の部分を有し、各部分が長手方向を揃えて長手方向と直角方向に交互に並設された第2導電型の第2の半導体領域及び第3の半導体領域と、主表面から第2の半導体領域の各部分内に延びかつ第2の半導体領域の長手方向に沿って形成された第1導電型の第4の半導体領域と、主表面上において第1,第2及び第4の半導体領域にまたがって形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層を介して第1,第2及び第4の半導体領域にまたがって形成された制御電極と、櫛型形状を有しその歯部が主表面において第2及び第4の半導体領域に電気的に接続された第1の主電極と、櫛型形状を有しその歯部が主表面において第3の半導体領域に電気的に接続された第2の主電極とを有し、第1の主電極の歯部の長手方向に沿った単位長さ当りの抵抗と、第2の主電極の歯部の長手方向に沿った単位長さ当りの抵抗が略等しいことを特徴とする横型絶縁ゲートトランジスタ。

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