特許

J-GLOBAL ID：200903054856352640

粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレート精製方法および精製ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレート

発明者： 稲田 修司 ,  佐藤 菊智
出願人/特許権者： 株式会社アイエス ,  財団法人クリーン・ジャパン・センター
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255839
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121173
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】【課題】 高度に精製されたビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを得る方法を提供すること。【解決手段】 (1)(i)Na、Mg、Ca、Fe、Co、Zn、Ti、Sn、Sb、GeおよびPよりなるカチオン並びに(ii)ハロゲン、NO2、NO3、PO4およびSO4よりなるアニオンの合計含有量が50ppm以下である粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを晶析に付し、次いで(2)晶析されたビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを、減圧下で蒸発または蒸留してビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを精製せしめることによるビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートの精製方法。

請求項（抜粋）：

(1)(i)Na、Mg、Ca、Fe、Co、Zn、Ti、Sn、Sb、GeおよびPよりなるカチオン並びに(ii)ハロゲン、NO2、NO3、PO4およびSO4よりなるアニオンの合計含有量が50ppm以下である粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを晶析に付し、次いで(2)晶析されたビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを、減圧下で蒸発または蒸留してビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを精製せしめることを特徴とするビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートの精製方法。

IPC (4件)：

C07C 67/54 ,  C07C 67/52 ,  C07C 69/82 ,  C08G 63/183

FI (4件)：

C07C 67/54 ,  C07C 67/52 ,  C07C 69/82 B ,  C08G 63/183

Fターム (41件)：

4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB46 ,  4H006AD11 ,  4H006AD15 ,  4H006BB14 ,  4H006BC51 ,  4H006BC52 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN10 ,  4J029AA03 ,  4J029AB04 ,  4J029AB07 ,  4J029AC01 ,  4J029AC02 ,  4J029BA02 ,  4J029BA03 ,  4J029BA04 ,  4J029BA05 ,  4J029BB13A ,  4J029BD03A ,  4J029BF09 ,  4J029BF25 ,  4J029BF26 ,  4J029BH02 ,  4J029CB06A ,  4J029DB13 ,  4J029FB07 ,  4J029FB12 ,  4J029FC03 ,  4J029FC08 ,  4J029HA01 ,  4J029KD01 ,  4J029KD03 ,  4J029KD07 ,  4J029KD17 ,  4J029KE02 ,  4J029KE03 ,  4J029KG01 ,  4J029KG02 ,  4J029KG03