特許

J-GLOBAL ID：200903054861030022

共用読出し構造を有するアクティブイメージセンサ

発明者： 王 怡棠
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 原田 信市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-224482
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 相接する2つのアクティブイメージセンサのフォトダイオードが一組の読出し回路を共用できるようなアクティブイメージセンサを提供すること。【解決手段】 第1のフォトダイオードおよび第1のNMOSトランジスタ、第2のフォトダイオードおよび第2のNMOSトランジスタ、ならびに第3のNMOSトランジスタおよび第4のNMOSトランジスタ、を有し、第1、第2の選択信号およびリセット信号の切り換えを時間割制御し、合わせて可変電圧源の電位を切り換えることにより、前記第1、第2のフォトダイオードにより感知された光度を、前記第4のNMOSトランジスタのソースにある出力端から読取ることができる共用読出し構造を有するアクティブイメージセンサ。

請求項（抜粋）：

第1のフォトダイオードの陽極は接地され、陰極は第1のNMOSトランジスタのソースにカップルされており、その第1のNMOSトランジスタのゲートは第1の選択信号にカップルされる、第1のフォトダイオードおよび第1のNMOSトランジスタ、第2のフォトダイオードの陽極は接地され、陰極は第2のNMOSトランジスタのソースにカップルされており、その第2のNMOSトランジスタのゲートは第2の選択信号にカップルされる、第2のフォトダイオードおよび第2のNMOSトランジスタ、ならびに前記第1および第2のNMOSトランジスタのドレインは、第3のNMOSトランジスタのソースおよび第4のNMOSトランジスタのゲートとカップルされており、前記第3および第4のNMOSトランジスタのドレインはいずれも可変電圧源にカップルされており、前記第3のNMOSトランジスタのゲートはリセット信号にカップルされる、第3のNMOSトランジスタおよび第4のNMOSトランジスタ、を有し、前記第1、第2の選択信号およびリセット信号の切り換えを時間割制御し、合わせて前記可変電圧源の電位を切り換えることにより、前記第1、第2のフォトダイオードにより感知された光度を、前記第4のNMOSトランジスタのソースにある出力端から読取ることができることを特徴とする、共用読出し構造を有するアクティブイメージセンサ。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

Fターム (14件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  5C024AA01 ,  5C024CA00 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024HA10 ,  5C024JA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-004681
  
• 固体撮像装置と画像撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-197471   出願人：キヤノン株式会社