特許

J-GLOBAL ID：200903054865328590

圧電素子

発明者： 川崎 岳彦 ,  倉島 玲伊 ,  赤池 正剛 ,  和田 隆亜
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380112
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214308
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】圧電体薄膜の結晶成長方向の乱れを低減し良好な特性をもつ圧電素子を提供する。【解決手段】本発明の圧電素子16は、第1電極7と、第1電極上に形成された圧電体薄膜8と、圧電体薄膜上に形成された第2電極9と、振動板11とを有する圧電素子である。平滑な基板面を有する第1基板1の面上に形成した電極層2を第2基板5に転写して、第1電極7が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、該第1電極上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された第2電極と、振動板とを有する圧電素子であって、 平滑な基板面を有する第1基板面上に形成した電極層を第2基板に転写して、前記第1電極が形成されることを特徴とする圧電素子。

IPC (7件)：

H01L41/09 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

FI (6件)：

H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H

Fターム (8件)：

2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP22 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AQ02