特許

J-GLOBAL ID：200903054867885216

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子

発明者： 内田 憲治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058798
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256666
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層のエピタキシャル成長の下地として結晶基板上に形成される窒化物系化合物半導体バッファ層の表面平坦性を向上させて、エピタキシャル成長の結晶核を高密度且つ均一に形成すること。【解決手段】 非晶質バッファ層を成長温度を変えて形成した多層膜構造とする。即ち、結晶基板上に形成される第1のバッファ層の成長温度に対し、第1のバッファ層上に形成される第2のバッファ層の成長温度を低くする。このように成長されるバッファ層及びその上に積層される窒化物系化合物半導体層の組成を、(AlxGa1-x)1-yInyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とし、バッファ層上に積層された窒化物系化合物半導体層を以て発光ダイオード又はレーザダイオードを構成する。【効果】 上述の窒化物系化合物半導体層の結晶欠陥密度低減により、発光ダイオードやレーザ素子の発光効率が向上した。

請求項（抜粋）：

基板上に順次、少なくとも第1および第2のバッファ層から成る多層膜構造としたバッファ層を形成後、上記バッファ層上に窒化物系化合物半導体を結晶成長することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C