特許
J-GLOBAL ID：200903054867994783
アクテイブマトリツクス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275677
公開番号（公開出願番号）：特開平5-113580
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【構成】 画素電極と画像信号線、ソース・ドレイン電極、およびオーミックコンタクト層を順次積層して所定形状にパターニングし、次に、チャネル層、ゲート絶縁層、ゲート電極、および走査信号線を順次積層して、ゲート電極と走査信号線を所定形状にパターニングし、次に、保護層10を形成して、この保護層10と、上ソース・ドレイン電極、オーミックコンタクト層、チャネル領域、ゲート絶縁層、ゲート電極、および走査信号線を所定形状にパターニングする。【効果】チャネル層の格別なパターニングが不要になると共に、n+ 型半導体層5をソース電極とドレイン電極のパーニングと同時に行うことができるようになり、パターニングの際に使用するフォトマスクの枚数を減らすことができる。また、信号配線を透明導電層で形成することができ、駆動用回路との接続が容易になる。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に、画素電極および画像信号線となる第1の透明導電層、ソース電極とドレイン電極となる第1の金属層、およびトランジスタのオーミックコンタクト層となるn+ 型半導体層を順次積層し、(b)該第1の透明導電層、第1の金属層、およびn+ 型半導体層の所定部分をエッチング除去し、(c)次に、トランジスタのチャネル領域となるi型半導体層、ゲート絶縁層となる絶縁層、ゲート電極となる第2の金属層、および走査信号線となる第2の透明導電層を順次積層し、(d)該第2の金属層と第2の透明導電層の所定部分をエッチング除去し、(e)次に、保護層を形成し、(f)該保護層と、上記第1の金属層、n+ 型半導体層、i型半導体層、絶縁層、第2の金属層、および第2の透明導電層の所定部分をエッチング除去する工程を含んで成るアクティブマトリックス基板の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, H01L 27/12
, H01L 21/336
, H01L 29/784
