デュアルゲート型電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008441
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】デュアルゲートFETにおける第2のゲート電極とドレイン電極との間の静電破壊強度の向上を図る。【構成】デュアルゲートFETにおいて、第1のゲート電極3は複数の給電点を有するくし型ゲート電極とし、第2のゲート電極4は交互に反対方向に折れ曲がった形状の単一給電点を有する非くし型ゲート電極とする。

請求項（抜粋）：

第1のゲート電極および第2のゲート電極を有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおいて、上記第1のゲート電極が複数の給電点を有し、かつ上記第2のゲート電極が単一の給電点を有することを特徴とするデュアルゲート型電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-214056
特開昭57-026471
特開昭55-108775

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