特許
J-GLOBAL ID：200903054886685597
固体撮像素子及び固体撮像素子による光信号検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195778
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は固体撮像素子による光検出方法に関し、光発生電荷の表面捕獲或いは散乱に起因する雑音を低減し、分光感度特性や変換効率の向上を図るとともに、直線性に優れた光電変換特性を得る。【解決手段】 光照射によってウエル領域15内に発生した光発生正孔をウエル領域15内に形成した絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース拡散領域16の近辺に埋め込まれた、ウエル領域15よりも高い不純物濃度を有する高濃度埋込層25に導いて蓄積させ、蓄積した光発生正孔の量により絶縁ゲート型電界効果トランジスタの閾値を変化させ、閾値の変化量を受光量として検出する。
請求項（抜粋）：
受光ダイオードと光信号検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた単位画素が複数配列された固体撮像素子において、前記受光ダイオードは、一導電型の半導体基板上の反対導電型の半導体層に形成された一導電型のウエル領域と、前記ウエル領域の表層に形成された反対導電型の不純物拡散領域とを有し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、前記ウエル領域の表層に前記不純物拡散領域と一体的に形成された反対導電型のドレイン拡散領域と、前記ウエル領域の表層に前記ドレイン拡散領域と間隔を置いて形成された反対導電型のソース拡散領域と、前記ドレイン拡散領域と前記ソース拡散領域との間のウエル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下のウエル領域の表層の電流担体が移動する、反対導電型の不純物層を有するチャネル領域と、前記チャネル領域の下のウエル領域内のソース拡散領域の近辺に前記ウエル領域よりも高い不純物濃度を有する一導電型の高濃度埋込層とを有することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 P
