特許

J-GLOBAL ID：200903054896731309

スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法

発明者： 叶野 治 ,  山越 康廣 ,  阿南 純一 ,  安井 浩一
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130113
公開番号（公開出願番号）：特開平6-322529
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：

【要約】【目的】 パーティクルの発生数が極めて少なく同時に酸素含有量の低いスパッタリング用シリサイドターゲットを製造する技術を確立すること。【構成】 微細なシリサイド粉末を使用し、最終的なホットプレス前に微細なシリサイド粉末をホットプレスダイス内でそのまま或いは仮焼結体として真空焼鈍することにより脱酸素を行う。スパッタ面に現れる10μm以上の粗大シリコン相の存在量を1ケ/mm2 以下としてパーティクルの発生数の低減と150ppm以下への酸素含有量の低減とを同時に達成する。スパッタ面に現れるシリコン相の面積比率を規制することにより遊離シリコンの発生確率の総量規制を行いそして表面の加工変質層を除去し、表面粗さを0.05μmを超え1μm以下にすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

密度が99%以上であり、スパッタ面に現れる10μm以上の粗大シリコン相の存在量が1ケ/mm2 以下でありそして酸素含有量が150ppm以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット。