基板型ガス検知素子およびガス感応層の構成粒子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：北村修一郎 , 山▲崎▼ 徹也 , 太田隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-151898
公開番号（公開出願番号）：特開2009-300107
出願日： 2008年06月10日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】応答特性に優れたガス感応層を有する基板型ガス検知素子、および、当該ガス感応層の構成粒子の製造方法を提供する。【解決手段】一対の検出電極11,12を設けてなる絶縁基板13上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層14を検出電極11,12を覆って設けた基板型ガス検知素子10であって、ガス感応層14は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子p1、および、コア粒子p1の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層p2を備えた構成粒子Pによって形成してある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の検出電極を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層を前記検出電極を覆って設けた基板型ガス検知素子であって、前記ガス感応層は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子、および、当該コア粒子の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層を備えた構成粒子によって形成してある基板型ガス検知素子。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (1件)：

G01N27/12 C

Fターム (9件)：

2G046AA19 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046EA04 , 2G046FB02 , 2G046FE29 , 2G046FE36 , 2G046FE39 , 2G046FE44

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体式ガス検知素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-217269 出願人：新コスモス電機株式会社
半導体ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058219 出願人：エフアイエス株式会社
ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-242718 出願人：株式会社リコー, リコー精器株式会社

全件表示

前のページに戻る