露光装置および露光方法および半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320514
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085320
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、制御性の高い裏面露光装置および露光方法を提供するとともにそれを用いた半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板の表面側に反射手段602が感光性薄膜表面から距離X(X=0.1μm〜1000μm)離れて設けられた裏面露光装置を用いて露光を行い、パターン600の端部からの距離Yの位置に制御性良く感光性薄膜パターン606をセルフアライン方式で形成し、その方法を用いてTFTを作製する。

請求項（抜粋）：

感光性薄膜が設けられた透光性基板を設置するステージと、前記透光性基板の裏面側から前記感光性薄膜を照射する光源と、前記透光性基板の表面側に設けられた反射手段とを有することを特徴とする露光装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G02F 1/1365 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/30 505 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 N

Fターム (113件)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB42 , 2H092JB44 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KA22 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA28 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA42 , 2H092NA07 , 2H092NA17 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 2H092PA13 , 2H092QA07 , 5F046AA15 , 5F046CB02 , 5F046CC01 , 5F046FC09 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE34 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP34 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ21 , 5F110QQ28

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