特許

J-GLOBAL ID：200903054902337219

スタンパ表面処理方法および処理装置

発明者： 川▲さき▼ 吉弘 ,  井上 和夫 ,  三宅 知義 ,  外薗 清志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-232643
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：

【要約】【課題】 供給ガスにフッ素ガスを使用しないで、スタンパ表面をフッ化処理する方法及び装置を提供する。【解決手段】 チャンバー1内の電極3上には非処理スタンパ10およびフッ素樹脂9が設置され、酸素ガスは酸素ガス源6より供給され、高周波電源2に通電することにより電極3と対向電極4の間に酸素プラズマ8を励起すると、フッ素樹脂9の表面に酸素プラズマ8中の酸素ラジカルが衝突し、樹脂の分子から炭素およびフッ素をはじき出す。スタンパ10の表面に酸素ラジカルが衝突し、スタンパ10の表面の残留有機物を分解した後、フッ素ラジカルが酸素ラジカルとともにスタンパ表面の金属と結合してフッ化物および酸化物を形成する。

請求項（抜粋）：

フッ素樹脂から解離形成したフッ素ラジカルにより、スタンパ表面にフッ化物を形成することを特徴とするスタンパ表面処理方法。

IPC (4件)：

B29C 33/38 ,  B29C 45/37 ,  G11B 7/26 511 ,  B29L 17:00

FI (4件)：

B29C 33/38 ,  B29C 45/37 ,  G11B 7/26 511 ,  B29L 17:00

Fターム (14件)：

4F202AH38 ,  4F202AH79 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ03 ,  4F202AJ09 ,  4F202CA11 ,  4F202CB01 ,  4F202CD22 ,  5D121CA03 ,  5D121CB03 ,  5D121CB08 ,  5D121CB09 ,  5D121CB10 ,  5D121GG03