特許

J-GLOBAL ID：200903054903363434

電子放出素子及び電子放出素子の製造方法及び電子源及び画像形成装置

発明者： 寺本 洋二 ,  西村 三千代
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093307
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム径が小さく、低電圧による駆動及び電子放出効率が高く、素子作製上のばらつきの軽減を可能とする電子放出素子及び電子放出素子の製造方法及びそのような電子放出素子を適用する電子源及び画像形成装置を提供する。【解決手段】 導電層109は、絶縁層103の一部によって電子放出層105から所定距離だけ隔てた位置に設けられており、導電層109の一部はカソード電極102と接するようにし、この導電層109の一部は電子放出層105の表面よりも、ゲート電極104の近傍に位置するようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に積層されるカソード電極層と、該カソード電極層に電気的に接続するように形成される導電層と、これらカソード電極層及び導電層上に積層される絶縁層と、該絶縁層上に積層されるゲート電極層と、を備え、前記ゲート電極層の表面から前記絶縁層を介してカソード電極層に至る位置まで貫く穴を設けると共に、該穴の中に、前記カソード電極層の表面を覆うように電子放出層を設けた電子放出素子であって、前記導電層の表面は、前記電子放出層の表面よりも前記ゲート電極層側に位置し、かつ、該導電層と電子放出層との間は前記絶縁層の一部によって隔てられることを特徴とする電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (7件)：

5C031DD17 ,  5C036EE03 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12