特許
J-GLOBAL ID:200903054903569300

集積化半導体圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊丹 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-076312
公開番号(公開出願番号):特開平6-265426
出願日: 1993年03月10日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 確実な回路特性の調整が可能で高い歩留まりを得ることができる集積化半導体圧力センサを提供することを目的とする。【構成】 センサチップ1がキャン4により真空封止されて絶対圧型集積化半導体圧力センサが構成される。パッケージ底部には、出力補正用回路素子8が外付けされる。複数のパッケージ・リード6のうち二つ61 ,62 は、センサチップ1のブリッジ回路のオフセット調整用抵抗の両端に繋がるものであって、これが出力補正用回路素子8のスルーホール11を貫通するように出力補正用回路素子8が取り付けられ、これにより厚膜抵抗10が内部のオフセット調整用抵抗に並列接続される。
請求項(抜粋):
半導体基板に感圧抵抗によるブリッジ回路と共に周辺回路が集積形成されたセンサチップと、このセンサチップを収容して内部を基準圧室にすると共にセンサチップに圧力を伝達するための導圧部が設けられたパッケージと、このパッケージの外に設けられた前記センサチップの出力補正用回路と、を有することを特徴とする集積化半導体圧力センサ。

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