特許

J-GLOBAL ID：200903054904366429

半導体発光素子

発明者： 倉橋 孝尚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243886
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111544
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 外部出射効率を高めることができ、全体として発光輝度を高めることができる上、1回のエピタキシャル成長により簡単に作製できる半導体発光素子を提供する。【構成】 基板1上に、下クラッド層2、活性層3および上クラッド層4を含む半導体層を備え、この半導体層上に表面電極8を有する。表面電極8は、ボンディングパッド81と、このボンディングパッド81から周囲の領域に放射状に伸びる細長い枝部82aとを少なくとも有する。ボンディングパッド81の直下に電流阻止層71を備える。ボンディングパッド81の周囲を取り囲み上記枝部82aを横切る環状の領域に、上記半導体層の表面側から所定の深さに達する溝10を設ける。

請求項（抜粋）：

n型とp型のうち一方の導電型を持つ基板上に、上記一方の導電型を持つ下クラッド層、光を発することができる活性層およびn型とp型のうち他方の導電型を持つ上クラッド層を含む半導体層を備え、この半導体層上に表面電極を有する半導体発光素子において、上記表面電極は、所定の面積を持つボンディングパッドと、このボンディングパッドから周囲の領域に放射状に伸びる細長い枝部とを少なくとも有し、上記ボンディングパッドの直下に、このボンディングパッドから上記半導体層中に電流が注入されるのを阻止する電流阻止層を備え、上記ボンディングパッドの周囲を取り囲み上記枝部を横切る環状の領域に、上記半導体層の表面側から所定の深さに達する溝を設けて、上記枝部の先端側から上記溝の外側の半導体層に電流が注入されるようにしたことを特徴とする半導体発光素子。