特許

J-GLOBAL ID：200903054909389419

半導体装置およびその制御方法

発明者： 川北 惠三 ,  小笠原 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119959
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326658
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 素子分離に必要な回路構造の簡素化、さらには消費電力および回路所要面積の削減を実現することが可能な半導体装置を提供する。【構成】 基板12の上に形成されたMOSトランジスタQ1を素子分離するためのフィールドプレート1を、同じく基板12の上に形成され、ソース5、ドレイン6、フローティングゲート2Aおよびコントロールゲート2Bを備えた給電用MOSトランジスタQ2のフローティングゲート2Aに接続し、給電用MOSトランジスタQ2におけるフローティングゲート2Aへの電荷注入操作によって、フィールドプレート1への電荷注入による電位の制御を行うようにした半導体装置である。

請求項（抜粋）：

電気的に浮遊状態にある素子分離用電極を備えた半導体装置であって、前記素子分離用電極は、フローティングゲートおよび前記フローティングゲートに対する電荷の注入を制御するコントロールゲートを備えたMOS構造の前記フローティングゲートに接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 29/78 371