特許
J-GLOBAL ID：200903054909659874
半導体量子井戸構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140286
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333388
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】導波路層にしめる量子井戸層の割合を高め、導波路として屈折率変化が大きく、低電圧化された半導体量子井戸構造を得る。【構成】量子井戸層2と電子蓄積層4との間に電界制御層3を設け、該電界制御層3に上記電子蓄積層4と反対のタイプのドーピングを行い、上記量子井戸層2に強い電界がかからぬようにする。
請求項（抜粋）：
エネルギーギャップが狭い半導体層の井戸層とエネルギーギャップが広い半導体層の障壁層とを交互に積層した量子井戸層と、上記障壁層よりもエネルギーギャップが広い電流障壁層と、該電流障壁層よりも狭く上記井戸層よりも広いエネルギーギャップをもち、上記井戸層のドーピング密度よりも高いドーピング密度をもつ電子蓄積層とを有し、電圧印加または光照射により上記電子蓄積層の電子が上記量子井戸層に流入または流出することによって、上記井戸層の電子密度を変化できる半導体量子井戸構造において、上記量子井戸層に強い電界がかからぬように、上記量子井戸層と上記電子蓄積層との間に電界制御層を設け、該電界制御層に上記電子蓄積層と反対のタイプのドーピングを行うことを特徴とする半導体量子井戸構造。
IPC (4件)：
G02F 1/35
, H01L 27/15
, H01L 21/20
, H01S 3/18
