特許

J-GLOBAL ID：200903054910085903

原子層堆積のためのガス配送装置

発明者： チェン, リング ,  ク, ヴィンセント ,  ウー, ディエーン-イェ ,  チャン, フア ,  オウイェ, アラン ,  ナカシマ, ノーマン ,  チャン, メイ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-538423
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507030
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

原子層堆積のような繰返し層堆積プロセスを実行するための装置及び方法が提供される。1つの態様において、この装置は、基板受け入れ面を有する基板支持体と、チャンバ蓋とを備え、該チャンバ蓋は、その中央部分から延びるテーパー付けされた通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面とを含み、該底面は、上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされている。又、この装置は、徐々に拡がるチャンネルに結合された1つ以上のバルブと、各バルブに結合された1つ以上のガス源も備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板受け入れ面を有する基板支持体と、 チャンバ蓋であって、該チャンバ蓋の中央部分から下方に延びる徐々に拡がる通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面とを含み、該底面が上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされているチャンバ蓋と、 上記徐々に拡がる通路と流体連通した1つ以上のバルブと、 上記各バルブと流体連通した1つ以上のガス源と、 を備えたチャンバ。

IPC (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (32件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA08 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH14 ,  5F045AA03 ,  5F045DP03 ,  5F045EE11 ,  5F045EE19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-087323
  
• 薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137175   出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ