特許

J-GLOBAL ID：200903054915900800

薄膜形成方法

発明者： ゾン・ミン・ソン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293178
公開番号（公開出願番号）：特開平9-279336
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】 ステップカバレッジが優れた薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】 ターゲットと反応して、ターゲットを原子状態にする不活性ガスと、ターゲットと反応して、分子状態の副生成物を生成する反応性エッチングガスを注入し、かつ上記原子状態のターゲットおよび分子状態の副産物と反応して、ウェーハ上に薄膜を生成する反応性スパッタガスを供給する。ガス等とターゲットの物質との反応を行い、上記ウェーハ上に薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内にターゲットとウェーハを装着するステップと、上記ターゲットと反応して、ターゲットを原子状態にする不活性ガスと、上記ターゲットと反応して、分子状態の副生成物を作り出す反応性エッチングガスと、上記原子状態のターゲットおよび、分子状態の副生成物と反応して、上記ウェーハ上に薄膜を生成するための反応性スパッタガスを供給するステップと、上記ガスとターゲットの物質との反応を遂行して、上記ウェーハ上に薄膜を形成するステップとを備えることを特徴とする、チャンバを有するスパッタ装置を利用した薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  C23F 4/00

FI (5件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  C23F 4/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-047256