特許
J-GLOBAL ID：200903054917915022
強磁性トンネル接合
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-091925
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 高いMR変化率を、再現性良く得ることのできる強磁性トンネル接合を提供する。【解決手段】 第1強磁性層1と、絶縁層3と、第2強磁性層2とが順次積層されいる。絶縁層3によるバリアポテンシャルは、0.5〜3eVの範囲にある。
請求項（抜粋）：
第1強磁性層と、絶縁層と、第2強磁性層とが順次積層されてなる強磁性トンネル接合であって、前記絶縁層によるバリアポテンシャルが0.5〜3eVの範囲にある強磁性トンネル接合。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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