特許

J-GLOBAL ID：200903054924656350

半導体装置の製造方法

発明者： 角田 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101111
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297830
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成する薄膜の膜応力を容易かつ広範囲に制御できるようにする。【解決手段】 薄膜を形成する装置として、プラズマ生成とは独立に基板に入射するイオンのエネルギーを制御することができる変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いる。この変形マグネトロン型プラズマ処理装置は、基板を載置するサセプタを可変インピーダンスを介して接地するように構成する。基板上に薄膜を形成する際、可変インピーダンスを調整してサセプタ電位を所定値に設定する。これにより基板に入射されるイオンのエネルギーが制御されて、基板上に形成される薄膜の膜応力は、サセプタ電位に対応する所望値をもつようになる。

請求項（抜粋）：

変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いてサセプタに載置した基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記サセプタをインピーダンスを介して接地し、前記インピーダンスを可変調整することにより、基板上に形成する薄膜の膜応力を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X

Fターム (33件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030HA14 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB11 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30