特許

J-GLOBAL ID：200903054926582281

薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： 中林 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-260148
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 段差表面の被覆性に優れ、膜厚ばらつきが小さいイリジウム薄膜、酸化イリジウム薄膜を堆積する薄膜形成方法、並びにこれらイリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜を用いる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法により、イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜を成膜する。表面凹凸がある下地基板上にも、被覆性に優れたイリジウム薄膜及び酸化イリジウム薄膜を形成することができる。また、膜厚のばらつきを小さく抑えることができる。

請求項（抜粋）：

Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法により、イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜を成膜することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (8件)：

C23C 16/18 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/314

FI (8件)：

C23C 16/18 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248526   出願人：同和鉱業株式会社