特許

J-GLOBAL ID：200903054934784632

多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法

発明者： 白井 精一郎 ,  小野塚 利彦 ,  福本 佳子 ,  堀田 尚二 ,  森田 正行 ,  豊田 英志 ,  並河 亮 ,  近田 縁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日東電工株式会社
代理人 (1件)： 祢▲ぎ▼元 邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252042
公開番号（公開出願番号）：特開平11-095451
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 多層レジストプロセスにおいて、シリコンウエハなどの物品上に微細パタ-ンを形成したのちに、上記物品上の不要となつたケイ素含有レジスト材を簡便にかつ確実に除去する方法を提供する。【解決手段】 多層レジストプロセスによる微細パタ-ンの形成後、物品2上の不要となつたケイ素含有レジスト材3を除去するにあたり、上記物品2上に粘着シ-ト類1を貼り付け、これを剥離操作することにより、この粘着シ-ト類1とケイ素含有レジスト材3とを一体に剥離除去する。

請求項（抜粋）：

多層レジストプロセスによる微細パタ-ンの形成後、物品上の不要となつたケイ素含有レジスト材を除去するにあたり、上記物品上に粘着シ-ト類を貼り付け、これを剥離操作することにより、この粘着シ-ト類とケイ素含有レジスト材とを一体に剥離除去することを特徴とする多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 572 Z ,  H01L 21/30 573