特許

J-GLOBAL ID：200903054936301981

化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法

発明者： 松井 之輝 ,  南幅 学 ,  矢野 博之 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391785
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198340
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 筐体内を湿潤雰囲気にすることによって、残留スラリの乾燥固化、研磨布及び洗浄装置の乾燥を防止し純水使用量削減を実現するCMP処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 CMP部(CMP装置)2及び洗浄部(洗浄装置)3を有する筐体内の湿度を70%〜100%にコントロールして湿潤雰囲気にする。このように筐体内を湿潤雰囲気にすることによって、残留スラリの乾燥固化及び研磨布及び洗浄装置の乾燥を防止し、クリーン度のアップ及びダミーディスペンス量低減あるいは廃止による純水使用量削減を実現する。

請求項（抜粋）：

被処理基板を筐体内において化学的機械的研磨処理する手段と、前記化学的機械的研磨処理された被処理基板を前記筐体内において洗浄する手段と、前記筐体内を常時湿度70%〜100%の湿潤雰囲気にする手段とを具備したことを特徴とする化学的機械的研磨処理システム。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/88 K

Fターム (12件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX33