半導体センサ用単結晶半導体基板の製造方法及び半導体センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063209
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体式のセンサに関し、特にセンサ内部に空洞を持つ構造を一枚の単結晶半導体基板から形成することを目的とする。【構成】 N型単結晶半導体基板1の内部に導伝型或は不純物濃度の異なる単結晶領域を設け、この部分を選択的にエッチングする事により空洞部3が形成される。エッチング用溝はSiN,CVD-SiO2等からなる膜4で埋められる。【効果】一枚のN型層基板から構成されておりダイアフラムを固定台と接合しないため、接合後の残留応力や台とのアライメント誤差がない。したがってセンサの感度ばらつきが低減できる。

請求項（抜粋）：

N型単結晶半導体基板にP型エピタキシャル層を積層する工程と、このエピタキシャル層の表面にドーピング用の保護膜を形成する工程と、この保護膜をほぼダイアフラム形状にパターニングし、窓開けして前記保護膜が除去された領域を形成する工程と、この上から不純物をドーピングしてN型基板層まで到達せしめ、前記領域をN型化してP型エピタキシャル層の島状部を形成する工程と、前記保護膜を除去した後、表面からN型エピタキシャル層をダイアフラムの厚さに積層する工程と、を含むことを特徴とする半導体センサ用単結晶半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , H01L 21/306

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-308390
特開平2-224374
特開昭63-056962

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