特許

J-GLOBAL ID：200903054938226472

薄膜半導体結晶の溶融再結晶化方法

発明者： 鎌田 敦之 ,  茂木 直人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286209
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明では、結晶粒径を再現性良く拡大しなおかつ堆積方向に結晶粒界の形成を抑制する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 望むべくはYAGレーザ12の1.064μm発振線を用いて、堆積物15表面から照射加熱し、裏面側から抵抗加熱体等により溶融部を1000°C以上に加熱することが有効であることが確認された。

請求項（抜粋）：

5μm以上300μm以下の厚さで堆積された多結晶シリコン層を加熱溶融した後、冷却し結晶化させて多結晶シリコン薄膜を形成方法において、前記堆積物の第二の主面からの加熱により堆積物表面の温度を1000°C以上シリコン融点以下に加熱し、前記堆積物の第一の主面側から実質的に線状に整形もしくはオッシレーションさせた光ビームを堆積物表面に照射し、シリコンを線状に溶融させ、溶融した線状領域と概ね直交する方向に光ビームを移動させる事により溶融領域を移動させ、移動後は前記溶融領域を速やかに冷却させ固化させる帯域溶融結晶化法により堆積物を大粒径多結晶化させる薄膜半導体結晶の溶融再結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 31/04 X

Fターム (11件)：

5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051CB25 ,  5F052AA02 ,  5F052AA18 ,  5F052BA07 ,  5F052BB04 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DB10 ,  5F052JA09