固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057318
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】微細化を図ることができると共に、混色を防止することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。また、無効領域を低減して感度の向上を図ることができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基体1の内部をトレンチ加工して、絶縁膜を埋め込むことにより素子分離層20が形成された固体撮像素子30を構成する。そして、この固体撮像素子30の製造において、トレンチ加工した溝の周囲にP型不純物をイオン注入するか、或いはP型不純物が導入された絶縁膜を埋め込み素子分離層20を形成し、この素子分離層20からP型不純物を拡散させる。また、センサ部と垂直転送レジスタを有して成り、垂直転送レジスタの下方に混色防止のための不純物領域がこの垂直転送レジスタより狭い幅に形成されている固体撮像素子を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基体の内部をトレンチ加工して、絶縁膜を埋め込むことにより素子分離層が形成されたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U , H04N 5/335 F , H01L 27/14 B , H01L 31/10 A

Fターム (31件)：

4M118AA03 , 4M118AA05 , 4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA08 , 4M118CA03 , 4M118DA02 , 4M118DA03 , 4M118DA33 , 4M118DA40 , 4M118FA28 , 5C024CX32 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024EX43 , 5C024EX51 , 5C024GX03 , 5C024GY01 , 5C024GZ01 , 5C024GZ36 , 5C024JX21 , 5F049NA01 , 5F049NA04 , 5F049NA17 , 5F049NB05 , 5F049PA08 , 5F049PA10 , 5F049QA14 , 5F049QA15 , 5F049RA03 , 5F049RA06

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-312669
特開平1-205566
特開昭59-211244

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