特許
J-GLOBAL ID:200903054940302259

現像ローラ及び現像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐野 弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-216678
公開番号(公開出願番号):特開2007-033843
出願日: 2005年07月27日
公開日(公表日): 2007年02月08日
要約:
【課題】 微細発泡された導電性架橋ポリマーで構成される弾性半導電体からなる現像ローラにより、樹脂の導電性能を維持しながら、弾性体の硬度を低下させ、汚染・フィルミングのない現像ローラを提供することを課題とする。また、このような低硬度、非汚染性現像ローラを使用した良好な画像が得られる現像装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 現像ローラ12は、導電性軸体1と、該導電性軸体1の外周に形成された弾性半導電体2と、該弾性半導電体2の表面に形成された表面抵抗調整層3とからなる半導電性ローラであって、ゴム硬度が15〜70(JIS A)で、導電性軸体1と表面抵抗調整層3との間の電気抵抗が1×104〜109Ωであり、表面抵抗調整層3の外表面の表面粗さ(Rz)が2〜10μmであり、かつ少なくとも弾性半導電体の平均セル径が40μm以下であることを特徴としている。 【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導電性軸体と、該導電性軸体の外周に形成された弾性半導電体と、該弾性半導電体の表面に形成された表面抵抗調整層とからなる半導電性ローラであって、前記弾性半導電体の硬度が15〜70(JIS A)で、前記導電性軸体と前記表面抵抗調整層との間の電気抵抗が1×104〜109Ωであり、前記表面抵抗調整層の外表面の表面粗さ(Rz)が2〜10μmであり、かつ、少なくとも前記弾性半導電体の平均セル径が40μm以下であることを特徴とする半導電性ローラ。
IPC (2件):
G03G 15/08 ,  B29D 23/00
FI (2件):
G03G15/08 501D ,  B29D23/00
Fターム (23件):
2H077AB01 ,  2H077AC04 ,  2H077AD06 ,  2H077AD13 ,  2H077AD17 ,  2H077AD23 ,  2H077AE03 ,  2H077EA11 ,  2H077FA13 ,  2H077FA16 ,  2H077FA22 ,  2H077FA26 ,  2H077GA03 ,  4F213AB03 ,  4F213AD18 ,  4F213AE03 ,  4F213AH04 ,  4F213AH33 ,  4F213AR13 ,  4F213WA02 ,  4F213WA18 ,  4F213WA87 ,  4F213WB01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 弾性ローラ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-090300   出願人:キヤノン株式会社

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