特許

J-GLOBAL ID：200903054943158523

高周波パワートランスおよびこれを用いた電力変換装置

発明者： 中島 晋 ,  荒木 博和 ,  蓮村 茂 ,  小倉 克廣
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  日立金属機工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164436
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 低磁心損失で小型なノーカットのナノ結晶軟磁性合金薄帯巻磁心にセンタータップを持たない1次巻線と少なくとも1組以上のセンタータップ付き2次巻線を設けた高周波パワートランスおよびこれを用いた高効率で信頼性の高い電力変換装置を提供すること。【解決手段】 Feを主成分とし、結晶粒径50nm以下の微細な結晶粒がその組織の体積全体の50%以上を占めるノーカットのナノ結晶軟磁性合金薄帯巻磁心にセンタータップを持たない1次巻線と、少なくとも1組以上のセンタータップ付き2次巻線を設けた高周波パワートランスにおいて、2次巻線端の全てを短絡して1次巻線端で測定した50kHzにおける漏れインダクタンスの値が0.3μH以下であること、及びこのときの比透磁率は20,000以上であること、あるいは、このときの前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯巻磁心の直流磁気特性における残留磁束密度Brと飽和磁束密度Bsの比である角型比Br/Bsは0.2以下である、以上の高周波パワートランス及びこれを用いた電力変換装置である。

請求項（抜粋）：

Feを主成分とし、結晶粒径50nm以下の微細な結晶粒がその組織の体積全体の50%以上を占めるノーカットのナノ結晶軟磁性合金薄帯巻磁心にセンタータップを持たない1次巻線と、少なくとも1組以上のセンタータップ付き2次巻線を設けた高周波パワートランスにおいて、2次巻線端の全てを短絡して1次巻線端で測定した50kHzにおける漏れインダクタンスの値が0.3μH以下であることを特徴とする高周波パワートランス。

IPC (2件)：

H01F 27/34 ,  H02M 3/28

FI (2件)：

H01F 27/34 ,  H02M 3/28 Z

Fターム (8件)：

5E058BB19 ,  5H730AA15 ,  5H730AA19 ,  5H730BB27 ,  5H730DD04 ,  5H730EE03 ,  5H730EE08 ,  5H730ZZ16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平8-028290
  
• インバータを用いた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098072   出願人：日立金属株式会社, 日立フェライト電子株式会社
• カットコアおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-175950   出願人：日立金属株式会社