半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247527
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090394
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板を用い,溝アイソレーションを施した半導体装置に関し,欠陥の発生を防止,または発生した欠陥が素子形成領域に到達するのを防止して,歩留まりの向上を図ると共に高集積化を実現する。【構成】絶縁膜層1およびその上に形成された半導体層から成るSOI基板を用い,半導体層に溝3を絶縁膜層1に到達しない位置まで形成して,素子が形成される半導体活性領域2を相互に分離する。そして,(a)溝3の下部に,絶縁膜層1にまで到達する高濃度不純物拡散層4を形成する。(b)溝3の側壁および下部に,絶縁膜層1にまで到達する酸化膜層5を形成する。(c)溝3の下部に,絶縁膜層1にまで到達する第2の溝6を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜層およびその上に形成された半導体層から成るSOI基板を用い,半導体層に溝を形成して,素子が形成される半導体活性領域を相互に分離する半導体装置であって,溝は,絶縁膜層に到達しない位置まで形成し,該溝の下部に,絶縁膜層にまで到達する高濃度不純物拡散層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-138749
特開昭60-161632
特開昭61-150362

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