特許
J-GLOBAL ID：200903054947310036
多層基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326465
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 絶縁層の凸部を除去でき、平坦化ができることによって多層化が容易にできると共に、信頼性の高い基板が得られるような製造方法を提供する。【構成】 基板6に導体パターン4を形成すると共に導体パターン上に絶縁層5を形成し、基板端部に導体パターンより突出してレーザ光3を遮るマスク7を配置し、基板に並行にレーザ光を照射してマスクを通過したレーザ光によりマスクより突出している絶縁層を除去する。また、基板に少なくとも一面が所定角度で傾斜した溝を設け、溝の傾斜部と対向する基板上に導体パターンより突出しレーザ光を遮る端部ダミーパターンを形成すると共に、溝の傾斜部に端部ダミーパターンより突出しレーザ光を反射する傾斜部ダミーパターンを形成し、傾斜部ダミーパターンにレーザ光を照射して基板に並行な反射レーザ光を得、この反射レーザ光により端部ダミーパターンより突出している絶縁層を除去する。
請求項（抜粋）：
基板に導体パターンを形成する工程、上記導体パターン上に絶縁層を形成する工程、および上記基板端部に上記導体パターンより突出してレーザ光を遮るマスクを配置し、上記基板に並行にレーザ光を照射して上記マスクを通過したレーザ光により上記マスクより突出している絶縁層を除去する工程を施す多層基板の製造方法。
IPC (2件)：
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