特許

J-GLOBAL ID：200903054952375316

スルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体

発明者： 鳥羽 泰正 ,  安池 円 ,  山口 岳男
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255347
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光および/または熱エネルギーの付与により活性なラジカルを発生するスルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体に関する。【構成】 一般式(1)で表される錯体。(ただしR1およびR2はアリール基を、R3はフェナシル基、ベンジル基もしくはアリル基を、R4は酸素原子もしくは孤立電子対を、R5〜R8はアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、脂環基より選ばれる基を示し、R5〜R8全てが同時にアリール基となることはない。)【効果】 一般式(1)の錯体は、スルホニウムカチオンまたはオキソスルホニウムカチオン上の置換基として、フェナシル基、ベンジル基もしくはアリル基を導入することによって、光および/または熱エネルギーの付与により、効率よくフリーラジカルを発生する。

請求項（抜粋）：

光および/または熱エネルギーの付与により活性なラジカルを発生することを特徴とする一般式(1)で表されるスルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体。一般式(1)(ただしR1 およびR2 は置換基を有してもよいアリール基を、R3 は置換基を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有してもよいアリル基を、R4 は酸素原子もしくは孤立電子対を、R5 、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよい脂環基より選ばれる基を示し、R5、R6 、R7 およびR8 全てが同時に置換基を有してもよいアリール基となることはない。)

IPC (3件)：

C07F 5/02 ,  C07C381/12 ,  C08F 4/00 MFJ