特許
J-GLOBAL ID：200903054953283075
半導体装置の試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274705
公開番号（公開出願番号）：特開平11-108991
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】耐湿保管試験におけるIC等の半導体装置のリード端子の表面を保護し、耐湿保管試験後の電気的特性測定でのコンタクト不良をなくす。【解決手段】半導体装置1のリード端子2の接続部を第1の絶縁基板3の第1の保持手段3aと第2の絶縁基板4の第2の保持手段4aで押圧挟持し耐湿保管試験におけるリード端子2の接続部の汚れ変質生成を防止する。
請求項（抜粋）：
両面先端に接続部を有する表面実装用リード端子が導出された半導体装置を耐湿保管試験装置にセットして、その半導体装置の電気的特性を加速試験する半導体装置の試験方法において、前記半導体装置を第1、第2の絶縁基板により保持して前記試験装置に挿入する際、前記リード端子の先端部を前記第1の絶縁基板上に設けた第1の保持手段と、前記第2の絶縁基板上に設けた第2の保持手段とにより押圧挟持して試験することを特徴とする半導体装置の試験方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01R 31/26 J
, G01R 31/26 H
, H01R 33/76
