特許

J-GLOBAL ID：200903054953706499

マスク上のLSIチップレイアウト方法

発明者： 中川 浩司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016786
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217834
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 フォトリソ工程時、イメージ露光、現像を行った場合、ウェハ周辺部において、不完全チップができるため、パターンはがれ等により工程歩留まりの低下を引き起こすのを防止すること。【構成】 マスク上にLSI用窓開けパターンとは別にブランクパターンとして機能する窓開けパターンを配置しておき、ウェハー周辺部での不完全チップのところにブランクパターンの窓開けパターンをも露光する。【効果】 1.パターンプロファイルのくずれたレジストパターンを削除することができ、リフトオフなどの工程不良をなくすことができ、工程歩留りを向上できる。2.ウェハ周辺部での不完全チップの影響により、複数チップの乗っているマスクでは、不完全チップを乗せないために、同一ショット内の完全チップもウェハ上に乗せることが困難であったのを、不完全チップのみを削除することにより、完全チップの乗り数を増加できる。

請求項（抜粋）：

LSI用窓開けパターンで構成されるLSIレチクルの中にブランクパターンとして機能する窓開けパターンに窓を有するレチクルマスクの、LSIパターンのみを、まず露光し、続いて、そのレチクルマスクを、LSIパターン露光領域のうちの不完全チップパターン露光領域上にブランクパターンの上記窓開けパターンを重ねて配置して、そのブランクパターンの窓開けパターンを露光することからなるマスク上のLSIチップレイアウト方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 K