特許

J-GLOBAL ID：200903054956900881

半導体装置

発明者： 山腰 由紀夫 ,  郷原 実
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048047
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 ビアホールとコンタクトホールを接続する第1層配線を不要にして第1層配線の配線制約を低減させ、セル間接続を容易にし、またゲート電極中央部のコンタクトホールの接続を容易にしてゲート電極のMOSトランジスタに対する抵抗を減少させ信号伝搬速度を高速化した基本セルを備えたマスタースライス型半導体装置を提供する。【構成】 第1領域1から構成されるPMOSトランジスタと第2領域2から構成されるNMOSトランジスタをそれぞれ1個ずつ共通接続したゲート電極5の中央部に、ゲート電極5と第1層配線とを接続するコンタクトホール6と第1層配線と第2層配線11とを接続するビアホール7とを重なるように設けて基本セルを構成し、第2層配線11をコンタクトホール6とビアホール7を介して直接ゲート電極5に接続する。

請求項（抜粋）：

複数の基本セルを配列してなるマスタースライス型半導体装置において、前記基本セルの第1導電型のMOSトランジスタと第2導電型のMOSトランジスタに共通のゲート電極を設け、該共通ゲート電極上に、該ゲート電極と第1層配線とを接続するコンタクトホールと、該コンタクトホールと重なって配置される第1層配線と第2層配線とを接続するビアホールを設けたことを特徴とする半導体装置。