特許

J-GLOBAL ID：200903054958032860

圧接型高耐圧半導体装置

発明者： 高柳 雄治 ,  小林 秀男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023094
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 ポスト電極による圧接時に、エミッタ電極9とゲート電極6等と間に短絡を生じることなく、製造工程の増大もない圧接型高耐圧半導体装置を提供する。【構成】 半導体能動領域の一面側に設けられたコレクタ電極8と、半導体能動領域の他面側に設けられたエミッタ電極9と、他面側に設けられ、それぞれ外部絶縁されたゲート電極6及びゲート電極配線板10と、他面側にあって半導体能動領域を囲む1本以上のガードリングとからなり、コレクタ電極8及びエミッタ電極9にそれぞれポスト電極を圧接し、それらの間で導電接続される圧接型高耐圧半導体装置において、半導体能動領域の他面側のエミッタ電極9の未配置部分に凹部17を形成するとともに、ゲート電極6及びゲート電極配線板10を凹部17の底面部分に外部と絶縁配置させ、エミッタ電極9の大部分を凹部17の外側に配置させ、かつ、その端部を凹部17の底面部分まで延在させる。

請求項（抜粋）：

1個以上のpn接合部を有する半導体能動領域と、この半導体能動領域の一方の表面側に設けられた外部露出面を有する第1主電極と、前記半導体能動領域の他方の表面側に設けられた外部露出面を有する第2主電極と、前記他方の表面側にそれぞれ設けられ、それぞれ絶縁層により外部絶縁された制御電極及び前記制御電極に導電接続される制御電極配線板と、前記半導体能動領域の他方の表面側にあって、前記半導体能動領域を囲むように配置された1本以上のガードリングとからなり、前記第1、第2主電極の外部露出面にそれぞれポスト電極を圧接するとともに、前記制御電極配線板に導電接続された制御電極パッドに端子電極板を圧接し、前記第1、第2主電極と対応する前記ポスト電極及び前記制御電極パッドと前記端子電極板との間で導電接続を行う圧接型高耐圧半導体装置において、前記半導体能動領域の他方の表面側の前記第2主電極の未配置部分に凹部を形成し、前記制御電極及び前記制御電極配線板を前記凹部の底面部分にそれぞれ絶縁配置し、前記第2主電極を前記凹部外側に配置するとともに、その一部を前記凹部の底面部分まで延在させていることを特徴とする圧接型高耐圧半導体装置。