特許
J-GLOBAL ID：200903054963186051
エピタキシャルウェハーの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320229
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160052
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 1回のエピタキシャル成長により2枚のエピタキシャルウェハーを得る。【構成】 1枚のGaAs基板ウェハー2の両面にエピタキシャル成長法によってGaAlAs化合物半導体から成るエピタキシャル層7,7を形成した後、GaAs基板ウェハー2のみを選択的にエッチングを行う事により、GaAs基板ウェハー2の両面に形成した該エピタキシャル層7,7を基板ウェハー2より分離し、2枚のGaAlAsエピタキシャルウェハーを得る。
請求項（抜粋）：
結晶面方位(100)なるGaAs基板ウェハーの両面にエピタキシャル成長法によって、GaAlAs化合物半導体からなるエピタキシャル層を形成した後、前記GaAs基板ウェハーのみを選択的にエッチングを行う事により、前記GaAs基板ウェハーの両側に形成したエピタキシャル層を前記基板ウェハーより分離し、2枚のGaAlAsエピタキシャルウェハーを得る事を特徴とするエピタキシャルウェハーの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/208
, C30B 23/02
, H01L 21/302
, H01L 33/00
