半導体装置と半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183362
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009287
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】低温プロセスで結晶性半導体を形成し、低価格な半導体装置を提供する。【解決手段】基板1上に、金属元素間の最隣接原子間距離Dmが、珪素の最隣接原子間距離Dsiに対して1.00≦Dm/Dsi≦1.20である金属膜2を形成し、その上に、珪素と少なくとも水素とハロゲン元素を含む混合ガスの気相成長により、珪素の水素とハロゲンの含有量を0.01〜3原子%とした結晶性珪素膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、金属薄膜とその上の珪素膜を含む半導体装置であって、前記珪素膜は少なくとも水素とハロゲンを含み、前記珪素膜は前記金属薄膜と接触しており、かつ前記珪素膜を構成する珪素と前記金属薄膜を構成する金属元素とは格子整合性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/316 X , H01L 21/318 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 618 F

Fターム (58件)：

5F052AA11 , 5F052CA10 , 5F052DB03 , 5F052GB05 , 5F058BA05 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110QQ11

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