特許
J-GLOBAL ID：200903054972694345
結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小鍜治 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232045
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 第1の結晶基板上にその結晶と格子定数および熱膨張係数が異なる第2、3の結晶基板を形成し、その第3の結晶基板上に半導体素子を形成する場合に、その素子の動作を妨げる転位および歪応力を減少させ素子の良好な動作を得るための、転位密度の低いかつ歪応力の少ない第3の結晶基板を得ることを目的とする。【構成】 第一の結晶基板となるSi基板1の上に、選択エッチング層2を介して第二の結晶基板であるGaAsエピタキシャル層3を形成する。次にそのGaAs層3にエッチング溝部4を形成して、前記選択エッチング層2の一部のみ部分的にエッチングにより除去する。この時露呈したSi基板上にSiO2 被膜層6を形成した後、前記GaAs層3上に、第三の結晶基板となるGaAsエピタキシャル層5を再成長させる。
請求項（抜粋）：
第1の結晶基板上に、その第1の結晶基板の格子定数および熱膨張係数と異なる格子定数および熱膨張係数を有する第2の結晶基板を、その一部が前記第1の結晶基板面より離間した状態で対向するように形成し、その第1の結晶基板面より離間した第2の結晶基板上に、第3の結晶基板を成長させる前の工程において、露呈している前記第1の結晶基板上に前記第3の結晶基板が結晶成長しない被膜を形成した後、第3の結晶基板を成長せしめることを特徴とする結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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