特許
J-GLOBAL ID：200903054983015075
炭化珪素表面の酸化珪素薄膜の形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232900
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079383
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】炭化珪素(SiC)結晶の表面にイオン打ち込みし炭化珪素結晶中に結晶欠陥を導入する第一のプロセスと、上記イオン打ち込みされ欠陥の導入された炭化珪素結晶基板を酸素雰囲気で加熱し酸化珪素薄膜を形成する第二のプロセスを含むことにより、電気的な絶縁性が高く、屈折率も適正な値を示す良好な酸化珪素薄膜を効率良く合理的に形成する。【解決手段】SiC結晶1表面2からイオンを打ち込むことにより、SiC結晶表面近傍に結晶欠陥4が導入される。酸素は、イオン注入により導入された結晶欠陥4を通じて供給されることとなり、イオン打ち込みにより結晶欠陥が導入された範囲4でSiCが効率的に素早く酸化され、炭素が酸化炭素の形でガスとなり除去され、酸化珪素が形成される。
請求項（抜粋）：
炭化珪素表面に酸化珪素薄膜を形成する方法であって、炭化珪素(SiC)結晶の表面にイオン打ち込みし炭化珪素結晶中に結晶欠陥を導入する第一のプロセスと、上記イオン打ち込みされ欠陥の導入された炭化珪素結晶基板を酸素雰囲気で加熱し酸化珪素薄膜を形成する第二のプロセスを含むことを特徴とする炭化珪素表面の酸化珪素薄膜の形成方法。
引用特許：
前のページに戻る
